在硅中分別摻雜其他兩類微量雜質可相應形成P型和N型半導體。這樣可制出以空穴或電子為多數載流子導電的非本征半導體。硅本身具有鉆石結晶構造，若在特定方向軸上施加機械力（壓力或拉力），晶體內部會產生畸變。這一畸變又導致晶體內部能級構造的變化，并進一步導致載流子相對能量的變化，從而導致晶體固有電阻率的變化。這種半導體晶體承受機械力后其電阻值增加或減少的現(xiàn)象稱為壓阻效應。
光電開關傳感器根據半導體材料的壓組效應，在半導體材料的基片上經擴散電阻而制成。其基片可直接作為測量光電開關傳感器元件，擴散電阻在基片內接成電橋形式。當基片受到威力作用而產生形變時，各電阻值將發(fā)生變化，使電橋產生相應的不平衡輸出。
用作壓阻式傳感器的基片（或稱膜片）材料主要為硅片和鍺片，硅片為敏感材料，制成的硅片壓阻光電開關傳感器受到人們的重視，尤其是以測壓力和速度的固態(tài)壓阻式光電開關傳感器應用最為普遍。
1、光電開關系數
2、影響光電開關系數的因素
3、光電開關器件
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